Η Samsung Εξελίσσει τα Συστήματα Υπολογιστών Υψηλής Απόδοσης με την Πρώτη Μνήμη Υψηλού Εύρους Ζώνης 2E 16GB 3ης Γενιάς (HBM2E)
Η Samsung Electronics Co., Ltd., παγκόσμιος ηγέτης στην προηγμένη τεχνολογία μνήμης, ανακοίνωσε σήμερα την κυκλοφορία της μνήμης υψηλού εύρους ζώνης 2E (HBM2E) 3ης Γενιάς, «Flashbolt». Η νέα 16GB HBM2E είναι μοναδικά σχεδιασμένη για τη μεγιστοποίηση της υψηλής απόδοσης των υπολογιστικών συστημάτων (High Performance Computing)....















