Η Samsung ανακοίνωσε επίσημα ένα νέο module μνήμης RAM, το οποίο είναι το πρώτο στον κόσμο που χρησιμοποιεί την τεχνολογία HKMG (High-K Metal Gate) για να προσφέρει ταχύτητες 7200Mbps. Το 512GB DDR5 module υπερδιπλασιάζει τις επιδόσεις των DDR4 και σε πρώτη φάση αναμένεται πως θα βρει εφαρμογή σε υπερυπολογιστές για διεργασίες Τεχνητής Νοημοσύνης και μηχανικής μάθησης.

Η εταιρεία χρησιμοποίησε για πρώτη φορά την τεχνολογία HKMG το 2018 σε μνήμες GDDR6 για επεξεργαστές γραφικών (GPUs). Η ανάπτυξη της τεχνολογίας έχει γίνει από τη Intel, η οποία αντικατέστησε το πυρίτιο με άφνιο στα ηλεκτρόδια, πετυχαίνοντας υψηλότερη πυκνότητα με ταυτόχρονη μείωση των διαρροών φορτίου.

Για την κατασκευή της μνήμης 512GB DDR5 χρειάστηκε να “πακετάρει” 32 chips 16GB που το καθένα περιλαμβάνει με τη σειρά του 8 στρώσεις 16Gb DRAM. Σύμφωνα με τη Samsung, η συγκεκριμένη αρχιτεκτονική πέραν της υψηλότερης απόδοσης, μειώνει και την ενεργειακή κατανάλωση κατά 13%, ένα ποσοστό αρκετά σημαντικό για μεγάλα data centers.

Η Intel αναφέρει ότι η νέα μνήμη θα είναι συμβατή με τους επόμενης γενιάς επεξεργαστές Xeon Scalable, οι οποίοι θα χρησιμοποιούν 8κάναλο DDR5 memory controller για μνήμη RAM πολλών terabyte που θα προσφέρουν ταχύτητες μεταφοράς δεδομένων έως και 460GB/s!

Σε μεταγενέστερο χρόνο θα δούμε εφαρμογές σε συμβατικούς προσωπικούς υπολογιστές και ενδεχομένως να επιταχυνθούν οι διαδικασίες με την έλευση της αρχιτεκτονικής Zen 4 από την AMD μέσα στο 2022, η οποία λέγεται ότι θα υποστηρίζει μνήμες DDR5.

Πηγή: techgear.gr

(Κώστας Παπαζαχαρίου, αναδημοσίευση 30/3/2021)